LMG2610RRGR

Texas Instruments
595-LMG2610RRGR
LMG2610RRGR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF

ECAD Model:
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CHF -.--
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 9.74 CHF 9.74
CHF 7.65 CHF 76.50
CHF 7.12 CHF 178.00
CHF 6.55 CHF 655.00
CHF 6.27 CHF 1’567.50
CHF 6.01 CHF 3’005.00
CHF 5.73 CHF 5’730.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
CHF 5.43 CHF 10’860.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
REACH - SVHC:
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-40
2 Driver
2 Output
3 A
7.5 V
26 V
Non-Inverting
14.9 ns
12.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG2610
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Entwicklungs-Kit: UCC28782EVM-030
Eingangsspannung – Max: 26 V
Eingangsspannung – Min: 10 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 43 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 12.5 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsspannung: 19.95 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 170 mOhms
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2610 GaN-Halbbrücken-IC

Das GaN-Halbbrücken-IC LMG2610 von Texas Instruments ist eine 650-V-GaN-Leistungs-FET-Halbbrücke für Active-Clamp-Flyback (ACF)-Wandler in Applikationen für die Leistungsversorgung mit < 75 W. Das Bauteil LMG2610 reduziert die Anzahl der erforderlichen Bauteile, vereinfacht das Design und reduziert den Platzbedarf auf der Platine, indem Gate-Treiber-Halbbrücken-Leistungs-FETs, eine Bootstrap-Diode und ein High-Side-Gate-Drive-Pegelwandler in einem 9 mm x 7 mm großen QFN-Gehäuse integriert werden. Die asymmetrischen GaN-FET-Widerstände sind für ACF-Betriebsbedingungen optimiert. Programmierbare Einschalt-Anstiegsraten ermöglichen die EMI- und Schaltüberschwing-Kontrolle. Die Low-Side-Strommesswiderstand-Emulation verringert die Verlustleistung im Vergleich zu herkömmlichen Strommesswiderständen. Dadurch kann der Low-Side-Wärme-Pad mit der Masse der Kühl-PCB verbunden werden.