LMG1205YFXT

Texas Instruments
595-LMG1205YFXT
LMG1205YFXT

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 1.2-A 5-A 90-V hal f bridge gate driver A 595-LMG1205YFXR

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
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CHF 2.52 CHF 25.20
CHF 2.33 CHF 58.25
CHF 2.11 CHF 211.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
CHF 2.00 CHF 500.00
CHF 1.89 CHF 945.00
CHF 1.84 CHF 1'840.00
CHF 1.82 CHF 4'550.00
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Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Texas Instruments
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
DSBGA-12
2 Driver
2 Output
5 A
4.5 V
5.5 V
7 ns
3.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG1205
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: MY
Land der Verbreitung: US
Ursprungsland: MY
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 50 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 50 ns
Betriebsversorgungsstrom: 2 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Handelsname: GaN
Gewicht pro Stück: 3.400 mg
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG1205 Halbbrücken-Gatetreiber

Der Halbbrücken-Gate-Treiber LMG1205 von Texas Instruments wurde entwickelt, um sowohl High-Side- als auch Low-Side-Erweiterungsmodus-Galliumnitrid-(GaN)-FETs in einer synchronen Abwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration anzusteuern. Das Bauteil verfügt über eine integrierte 100 V-Bootstrap-Diode und unabhängige Eingänge für die High-Side- und Low-Side-Ausgänge für maximale Steuerungsflexibilität. Die High-Side-Vorspannung wird mit einer Bootstrap-Technik erzeugt und ist intern bei 5 V geklemmt. Diese Klemmspannung verhindert, dass die Gate-Spannung den maximalen Gate-Source-Spannungswert der Verstärkungsmodus-GaN-FETs überschreitet. Die Eingänge der LMG1205 sind TTL-Logik-kompatibel und können unabhängig von der VDD-Spannung, Eingangsspannungen bis zu 14 V widerstehen. Der LMG1205 verfügt über Split-Gate-Ausgänge und bietet Flexibilität, um die Einschalt- und Abschaltfestigkeit unabhängig einzustellen.

LMG1025/LMG1025-Q1 Half-Bridge-GaN-Treiber

Der Half-Bridge-GaN-Treiber LMG1025/LMG1025-Q1 von Texas Instruments ist für die Ansteuerung von Galliumnitrid-FETs im High-Side- und Low-Side-Anreicherungsmodus in einer synchronen Abwärts-, Aufwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration ausgelegt. Das Bauelement verfügt über eine integrierte 100-V-Bootstrap-Diode und unabhängige Eingänge für die High-Side- und Low-Side-Ausgänge für maximale Steuerungsflexibilität. Die High-Side-Vorspannung wird mit einer Bootstrap-Technik erzeugt. Er ist intern auf 5 V geklemmt, was verhindert, dass die Gate-Spannung die maximale Gate-Source-Spannung von GaN-FETs im Anreicherungsmodus überschreitet. Die Eingänge des LMG1205/LMG1025-Q1 sind TTL-Logik-kompatibel und können unabhängig von der VDD-Spannung  Eingangsspannungen bis zu 14 V vertragen. Der LMG1205/LMG1205-Q1 verfügt über Split-Gate-Ausgänge, die die Flexibilität bieten, die Ein- und Ausschaltstärke unabhängig voneinander einzustellen.

Galliumnitrid (GaN)

Die Galliumnitrid-(GaN)-Lösungen von Texas Instruments bieten einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Die GaN-Produktfamilie von Texas Instruments besteht aus Controllern, Treibern und Reglern und bietet eine durchgehende Leistungsumwandlung mit reduzierter Leistungsaufnahme und 5-MHz-Schaltfrequenzen.