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CSD75207W15

Name: Texas Instruments CSD75207W15
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD75207W15
Price: 0.8 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD75207W15

Herst.- Nr.:

CSD75207W15

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD75207W15 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.802	CHF 0.80
	CHF 0.50	CHF 5.00
	CHF 0.327	CHF 32.70
	CHF 0.252	CHF 126.00
	CHF 0.228	CHF 228.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.197	CHF 591.00
	CHF 0.176	CHF 1’056.00
	CHF 0.174	CHF 1’566.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-9
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	54 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Qg - Gate-Ladung:	2.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	16 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.6 ns
Serie:	CSD75207W15
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	32.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12.8 ns
Gewicht pro Stück:	2.500 mg

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Models

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CAHTS:: 8541210000
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JPHTS:: 854121000
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MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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