CSD25480F3

Texas Instruments
595-CSD25480F3
CSD25480F3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25480F3T

ECAD Model:
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CHF 0.168 CHF 1.68
CHF 0.106 CHF 10.60
CHF 0.078 CHF 39.00
CHF 0.067 CHF 67.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.057 CHF 171.00
CHF 0.05 CHF 300.00
CHF 0.043 CHF 387.00
CHF 0.041 CHF 984.00
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
1.7 A
840 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
700 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: PH
Land der Verbreitung: CH
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 8 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CSD25480F3
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Gewicht pro Stück: 0.300 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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