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CSD25402Q3A

Name: Texas Instruments CSD25402Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25402Q3A
Price: 1.01 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25402Q3A

Herst.- Nr.:

CSD25402Q3A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs P-CH Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD25402Q3A Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.01	CHF 1.01
	CHF 0.632	CHF 6.32
	CHF 0.417	CHF 41.70
	CHF 0.324	CHF 162.00
	CHF 0.295	CHF 295.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.262	CHF 655.00
	CHF 0.252	CHF 1’260.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD25402Q3AT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.37

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	76 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	650 mV
Qg - Gate-Ladung:	7.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	69 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	CSD25402Q3A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	27.800 mg

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ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

CSD25402Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET

Der CSD25402Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET von Texas Instruments ist ein 20 V p-Kanal MOSFET, der zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungs-Lastmanagement-Applikationen ausgelegt ist. Der CSD25402Q3A von Texas Instruments wird in einem 3,3 mm × 3,3 mm großen SON-Gehäuse geliefert, das für seine Größe eine hervorragende thermische Leistung bietet. Typische Applikationen sind DC/DC-Wandler, Batteriemanagement, Lastschalter und Batterieschutz.