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CSD22206W

Name: Texas Instruments CSD22206W
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22206W
Price: 0.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD22206W

Herst.- Nr.:

CSD22206W

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

Datenblatt:

CSD22206W Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.867	CHF 0.87
	CHF 0.535	CHF 5.35
	CHF 0.349	CHF 34.90
	CHF 0.269	CHF 134.50
	CHF 0.243	CHF 243.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.206	CHF 618.00
	CHF 0.194	CHF 1'164.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD22206WT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.57

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD22206WT

Beschreibung:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-9
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.05 V
Qg - Gate-Ladung:	14.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	45 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Serie:	CSD22206W
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	118 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Gewicht pro Stück:	200 mg

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CSD22206W TINA-TI Reference Design

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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TI P-Channel MOSFETs - 8-23-12

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