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CSD18513Q5AT

Name: Texas Instruments CSD18513Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18513Q5AT
Price: 1.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18513Q5AT

Herst.- Nr.:

CSD18513Q5AT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A

Datenblatt:

CSD18513Q5AT Datenblatt

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.58	CHF 1.58
	CHF 1.02	CHF 10.20
	CHF 0.593	CHF 59.30
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.593	CHF 148.25
	CHF 0.512	CHF 256.00
	CHF 0.47	CHF 470.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD18513Q5A

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.17

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD18513Q5A

Beschreibung:

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18513Q5AT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	59 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	89 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	CSD18513Q5A
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Gewicht pro Stück:	85.200 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.