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CSD16415Q5T

Name: Texas Instruments CSD16415Q5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16415Q5T
Price: 3.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16415Q5T

Herst.- Nr.:

CSD16415Q5T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16415Q5

Datenblatt:

CSD16415Q5T Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.30	CHF 3.30
	CHF 2.17	CHF 21.70
	CHF 1.36	CHF 136.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 1.36	CHF 340.00
	CHF 1.29	CHF 645.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD16415Q5

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 2.60

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD16415Q5

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD164 A 595-CSD16415Q5T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	156 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	12.7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	168 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	CSD16415Q5
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16.6 ns
Gewicht pro Stück:	125 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.