STL8P4LLF6

STMicroelectronics
511-STL8P4LLF6
STL8P4LLF6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
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CHF 0.835 CHF 0.84
CHF 0.584 CHF 5.84
CHF 0.443 CHF 44.30
CHF 0.385 CHF 192.50
CHF 0.368 CHF 368.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.353 CHF 1’059.00
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
P-Channel
1 Channel
40 V
8 A
20.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
2.9 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 19 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 47 ns
Serie: STL8P4LLF6
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 148 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 43 ns
Gewicht pro Stück: 20 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs

STMicorelectronics STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™-Leistungs-MOSFET, der eine Trench-Technologie für einen hohen Wirkungsgrad und niedrigen RDS(on) verwendet, die in verschiedenen Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen, wie z. B. Motorsteuerung, USV, DC/DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solarapplikationen erforderlich sind. Sie bieten eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Stoßentladungsfestigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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