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STL210N4LF7AG

Name: STMicroelectronics STL210N4LF7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL210N4LF7AG
Price: 2.39 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL210N4LF7AG

Herst.- Nr.:

STL210N4LF7AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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Datenblatt:

STL210N4LF7AG Datenblatt (PDF)

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.39	CHF 2.39
	CHF 1.54	CHF 15.40
	CHF 1.07	CHF 107.00
	CHF 0.891	CHF 445.50
	CHF 0.867	CHF 867.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.835	CHF 2’505.00
	CHF 0.826	CHF 4’956.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	56 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	STL210N4
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SuperMESH™ Hochspannungs-MOSFETs

STMicroelectronics Zener-geschützte SuperMESH™ Leistungs-MOSFETs stellen eine grundlegende Optimierung des streifenbasierten Standard-PowerMESH™-Layouts dar. STMicroelectronics SuperMESH MOSFETs senken den On-Widerstand signifikant und bieten gleichzeitig eine sehr gute dv/dt-Leistung, wodurch sie sich auch für anspruchsvollste Anwendungen eignen. SuperMESH-Komponenten haben eine minimierte Gate-Ladung, sind zu 100% Avalanche-getestet, haben verbesserte ESD-Fähigkeiten und ein neues Hochspannungsbenchmark. Diese STMicroelectronics MOSFETs sind für die Verwendung in Schaltanwendungen konzipiert.
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