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STH150N10F7-2

Name: STMicroelectronics STH150N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH150N10F7-2
Price: 3.28 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STH150N10F7-2

Herst.- Nr.:

STH150N10F7-2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

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Datenblatt:

STH150N10F7-2 Datenblatt (PDF)

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Preis (CHF)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 3.28	CHF 3.28
	CHF 2.16	CHF 21.60
	CHF 1.53	CHF 153.00
	CHF 1.37	CHF 685.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.29	CHF 1’290.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	110 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	117 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	33 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	57 ns
Serie:	STH150N10F7-2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	72 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	33 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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5-1013-36

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Datenblatt

STH150N10F7-2 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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