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STGWA75H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA75H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA75H65DFB2
Price: 4.19 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA75H65DFB2

Herst.- Nr.:

STGWA75H65DFB2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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Datenblatt:

STGWA75H65DFB2 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	115 A
Pd - Verlustleistung:	375 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6.100 g

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Datenblatt

STGWA75H65DFB2 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STGWA75H65DFB2 HB2-IGBT

Der STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2-IGBT stellt eine Weiterentwicklung der fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur dar. Die HB2-Baureihe optimiert die Durchleitung mit einem besseren V_CE(sat) bei niedrigen Stromwerten und reduzierter Schaltenergie. Der STGWA75H65DFB2 HB2-IGBT verfügt über eine niedrige V_CE(sat) von 1,55 V (typisch) bei einem I_C von 75 A.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.