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STGD25N40LZAG

Name: STMicroelectronics STGD25N40LZAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD25N40LZAG
Price: 1.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGD25N40LZAG

Herst.- Nr.:

STGD25N40LZAG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ

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Datenblatt:

STGD25N40LZAG Datenblatt (PDF)

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.58	CHF 1.58
	CHF 1.02	CHF 10.20
	CHF 0.681	CHF 68.10
	CHF 0.541	CHF 270.50
	CHF 0.504	CHF 504.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.458	CHF 1'145.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	400 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.25 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 12 V, 16 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	25 A
Pd - Verlustleistung:	150 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGD25N40LZAG
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	25 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	625 uA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STGD25N40LZAG Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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Die intern geklemmten IGBTs nach Automobilstandard von STMicroelectronics verwenden die fortgeschrittene PowerMESH™-Technologie, die für den Spulenantrieb bei rauen Umgebungsbedingungen in Automobil-Zündsystemen ausgelegt ist. Diese Bauteile zeigen eine sehr niedrige Durchlassspannung und eine sehr hohe SCIS-Energiekapazität über einen weiten Betriebstemperaturbereich. Der ESD-geschützte Logikpegel-Gate-Eingang und ein integrierter Gate-Widerstand erfordern keine externe Schutzschaltung.
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