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STDRIVEG212QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG212QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG212QTR
Price: 2.14 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG212QTR

Herst.- Nr.:

STDRIVEG212QTR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Datenblatt:

STDRIVEG212QTR Datenblatt (PDF)

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	CHF 2.14	CHF 2.14
	CHF 1.59	CHF 15.90
	CHF 1.46	CHF 36.50
	CHF 1.30	CHF 130.00
	CHF 1.23	CHF 307.50
	CHF 1.19	CHF 595.00
	CHF 1.16	CHF 1’160.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.12	CHF 3’360.00
	CHF 1.09	CHF 6’540.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Driver
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-18
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	3 Output
Ausgangsstrom:	1.8 A
Versorgungsspannung - Min.:	10.3 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	22 ns
Abfallzeit:	13 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Entwicklungs-Kit:	EVLSTDRIVEG212
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	65 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	65 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	900 uA
Ausgangsspannung:	220 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	65 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 Ohms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Handelsname:	STDRIVE

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STDRIVEG212QTR Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG212 220 V Halbbrücken-Gate-Treiber

Der 220 V High-Speed-Halbbrücken-Gate-Treiber STDRIVEG212 von STMicroelectronics ist für 5-V-gesteuerte, selbstsperrende GaN-HEMTs optimiert. Der High-Side-Treiberabschnitt ist für eine Spannungsschiene von bis zu 220 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrapdiode versorgt werden. Dank seiner Hochstromfähigkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen mit exzellenter Laufzeitanpassung und integrierten LDOs ist der STDRIVEG212 für die Ansteuerung von High-Speed-GaN optimiert.