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STD2N95K5

Name: STMicroelectronics STD2N95K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD2N95K5
Price: 1.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD2N95K5

Herst.- Nr.:

STD2N95K5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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Datenblatt:

STD2N95K5 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.58	CHF 1.58
	CHF 0.98	CHF 9.80
	CHF 0.69	CHF 69.00
	CHF 0.547	CHF 273.50
	CHF 0.503	CHF 503.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.479	CHF 1’197.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	950 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	10 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperMESH
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Abfallzeit:	32.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13.5 ns
Serie:	STD2N95K5
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.5 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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