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STD2HNK60Z-1

Name: STMicroelectronics STD2HNK60Z-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD2HNK60Z-1
Price: 0.49 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD2HNK60Z-1

Herst.- Nr.:

STD2HNK60Z-1

Herst.:

STMicroelectronics

Datenblatt:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-251-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.75 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperMESH
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Abfallzeit:	50 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	STD2HNK60Z-1
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg