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STB21N65M5

Name: STMicroelectronics STB21N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB21N65M5
Price: 4.14 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB21N65M5

Herst.- Nr.:

STB21N65M5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V

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Datenblatt:

STB21N65M5 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 4.14	CHF 4.14
	CHF 2.98	CHF 29.80
	CHF 2.14	CHF 214.00
	CHF 2.07	CHF 1’035.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.94	CHF 1’940.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	Mdmesh M5
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STB21N65M5 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET

Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh™ V, eine revolutionäre Leistungs-MOSFET-Technologie, die auf einem innovativen proprietären vertikalen Prozess basiert, der mit STMicroelectronics branchenbekannter horizontaler PowerMESH™-Layoutstruktur kombiniert wurde. Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET bietet einen extrem niedrigen On-Widerstand, der in silikonbasierten Leistungs-MOSFETs einmalig ist, wodurch sich das Gerät hervorragend für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Leistungsdichte und hohe Wirkungsgrade eignet.
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