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GWA40MS120DF4AG

Name: STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-GWA40MS120DF4AG
Price: 5.4 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-GWA40MS120DF4AG

Herst.- Nr.:

GWA40MS120DF4AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

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Datenblatt:

GWA40MS120DF4AG Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.95 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	536 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	80 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

Der STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt. Dieser IGBT, der zur MS-Baureihe gehört, wurde speziell für Wechselrichtersysteme entwickelt. Seine hervorragende Kurzschlussfähigkeit bei hohen Busspannungen macht ihn ideal für solche Applikationen. Auch der leicht positive Temperaturkoeffizient V_CE(sat) und die sehr enge Parameterverteilung tragen zu einem sichereren Parallelbetrieb bei. Der GWA40MS120DF4AG IGBT führ den Fahrzeugstandard bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V (V_GE=0 V), einen Kollektor-Dauerstrom von 40 A (T_C=100 °C) und einen Impuls-Durchlassstrom von 120 A. Dieser IGBT wird in einem TO-247-Gehäuse mit langen Anschlüssen geliefert und arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Typische Applikationen umfassen Hilfslasten, Wärmemanagementund PTC-Heizungen.