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GANSPIN611TR

Name: STMicroelectronics GANSPIN611TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-GANSPIN611TR
Price: 8.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-GANSPIN611TR

Herst.- Nr.:

GANSPIN611TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

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Datenblatt:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 8.42	CHF 8.42
	CHF 6.51	CHF 65.10
	CHF 6.21	CHF 155.25
	CHF 5.39	CHF 539.00
	CHF 5.14	CHF 1'285.00
	CHF 4.69	CHF 2'345.00
	CHF 4.13	CHF 4'130.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 4.02	CHF 12'060.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-bridge Driver
Typ:	Half-bridge with High-voltage Driver
Ausgangsstrom:	10 A
Betriebsversorgungsstrom:	900 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-35
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Betriebsfrequenz:	200 kHz
Produkt-Typ:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	GANSPIN
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Versorgungsspannung - Min.:	10.7 V
Handelsname:	GaNSPIN
Gewicht pro Stück:	194 mg

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Datenblatt

GANSPIN611TR Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

GANSPIN611 GaN-Halbbrücke mit hoher Leistungsdichte

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN-Halbbrücke mit hoher Leistungsdichte ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das zwei Anreicherungs-GaN-Transistoren in einer Bauform integriert, die von einem hochmodernen Hochspannungs-Hochfrequenz-Gate-Treiber angesteuert werden. Die integrierten Leistungs-GaNs haben einen RDS_(ON)von 138 mΩ und eine Drain-Source-Durchbruchspannung von 650 V, während die integrierte Bootstrap-Diode problemlos die High-Seite des integrierten Gate-Treibers versorgen kann.