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QPD2160D

Name: Qorvo QPD2160D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2160D
Price: 28.88 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD2160D

Herst.- Nr.:

QPD2160D

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

JFET HF-Transistoren 1.60mm Pwr pHEMT

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	JFET HF-Transistoren
RoHS:
Transistorart:	pHEMT
Verpackung:	Reel
Marke:	Qorvo
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Produkt-Typ:	RF JFET Transistors
Serie:	QPD2160D
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QPD2160D 1.600 µm diskreter GaAs-pHEMT

Der Qorvo QPD2160D diskrete 1.600-µm -GaAs-pHEMT (Pseudomorphic High-Electron-Mobility-Transistor) verfügt über eine Betriebsfrequenz von DC bis 20 GHz. Der QPD2160D bietet bei P1dB eine Ausgangsleistung von 32,5 dBm mit einer Gain von 10,4 dB und einen leistungsverstärkenden Wirkungsgrad von 63 % bei einer Kompression von 1 dB. Dank dieser Leistung eignet sich der QPD2160D für hocheffiziente Anwendungen.