Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

PRMD2Z

Name: Nexperia PRMD2Z
Brand: Nexperia
SKU: 771-PRMD2Z
Price: 0.21 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PRMD2Z

Herst.- Nr.:

PRMD2Z

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SOT1268 50V .1A NPN/PNP RET

Datenblatt:

PRMD2Z Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Nexperia PRMD2Z

Auf Lager: 784

Lagerbestand:: 784 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 53 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1 Maximal: 902

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.219	CHF 0.22
	CHF 0.187	CHF 1.87
	CHF 0.178	CHF 17.80
	CHF 0.112	CHF 56.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.112	CHF 560.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1412-6
Transistorpolung:	NPN, PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	50 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	10 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	150 mV
Pd - Verlustleistung:	480 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	230 MHz, 180 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	60
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934070171147
Gewicht pro Stück:	2.376 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Dokument filtern:

Datenblatt

PRMD2Z Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN

Der Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen. Nexperia bietet unbedrahtete AEC-Q101-qualifizierte Gehäuse mit seitenbenetzbaren Flanken. Diese Komponenten sparen Platz, reduzieren das Gewicht und halten eine hohe Leistungsfähigkeit und einen hohen Wirkungsgrad auch bei hohen Temperaturen aufrecht. Für platzkritische Applikationen, wie z. B. Mobilgeräte, Wearables, Automotive-Sensoren und Kameramodule, empfiehlt Nexperia DFN-Gehäuse.

Mit einem Widerstand ausgestattete Transistoren (RETs)

Mit einem Widerstand ausgestattete Transistoren (RETs) von Nexperia sind platz- und kostensparende Lösungen, welche die Anzahl der Komponenten reduzieren und das Schaltungsdesign vereinfachen. Diese Transistoren sind AEC-Q101-qualifiziert und verfügen über integrierte Vorspannungswiderstände. Diese RETs sind in verschiedenen Ausführungen verfügbar, einschließlich neue 80 V RETs, 50 V RETs und leistungsbasierte RETs. Die 80-V-RETs bieten genügend Spielraum für den Einsatz im 48-V-Automotive-Boardnetz und anderen Hochspannungsschaltungen, die großen Spitzen und Impulsen ausgesetzt sind. Typische Applikationen sind die Steuerung von IC-Eingängen, Schaltlasten und digitalen Systemen.