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TN0106N3-G

Microchip Technology

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

689-TN0106N3-G

Herst.- Nr.:

TN0106N3-G

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

MOSFETs 60V 3Ohm

In Development Tools-Auswahl anzeigen

Datenblatt:

TN0106N3-G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

TN0106N3-G-P003

Verpackung:

Reel, Cut Tape

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.94

Min:

1

Herst. Teilenr.:

TN0106N3-G-P013

Verpackung:

Ammo Pack

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.94

Min:

1

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-92-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	350 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Bulk
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	3 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2 ns
Gewicht pro Stück:	453.600 mg

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Datenblatt

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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