MSC360SMA120SDT/RM

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-MC360SMA120SDTRM

Herst.- Nr.:

MSC360SMA120SDT/RM

Herst.:

Microchip Technology

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	450 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	92 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Abfallzeit:	6 ns
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns