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IPWS65R050CFD7AXKSA1

Name: Infineon IPWS65R050CFD7AXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPWS65R050CFD7AX
Price: 8.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPWS65R050CFD7AX

Herst.- Nr.:

IPWS65R050CFD7AXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Datenblatt:

IPWS65R050CFD7AXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 8.48	CHF 8.48
	CHF 6.16	CHF 61.60
	CHF 5.13	CHF 513.00
	CHF 4.58	CHF 2'198.40
	CHF 4.28	CHF 5'136.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	45 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	50 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	102 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	227 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CoolMOS CFD7A
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPWS65R050CFD7A SP005405805

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IPWS65R050CFD7AXKSA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650 V CoolMOS™ CFD7A SJ-Leistungs-MOSFETs

650-V-CoolMOS ™ -CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind für Elektrofahrzeug-Applikationen, wie z. B. On-Board-Ladegeräte, HV/LV-DC/DC-Wandler und Hilfsnetzteile ausgelegt. Dank der verbesserten Robustheit der kosmischen Strahlung ermöglichen die CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs höhere Batteriespannungen mit einer Zuverlässigkeitsrate, die der früheren Generationen und anderen Marktangeboten entspricht. CoolMOS-CFD7A-SJ-Leistungs-MOSFETs gewährleisten hohe Wirkungsgrade in hart- und resonant schaltenden Topologien, insbesondere bei leichten Lastbedingungen. Höhere Schaltfrequenzen bei Gate-Verlustpegeln, die mit denen früherer Generationen vergleichbar sind, werden erreicht. Die Reduzierung des Systemgewichts und der kleinere Platzbedarf führen zu kompakteren Designs.