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IPD60R650CEAUMA1

Name: Infineon IPD60R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R650CEAUMA1
Price: 0.78 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD60R650CEAUMA1

Herst.- Nr.:

IPD60R650CEAUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs CONSUMER

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IPD60R650CEAUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.786	CHF 0.79
	CHF 0.613	CHF 6.13
	CHF 0.41	CHF 41.00
	CHF 0.318	CHF 159.00
	CHF 0.289	CHF 289.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.246	CHF 615.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	540 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	20.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	82 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	11 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	CoolMOS CE
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	IPD60R650CE SP001396884
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

IPD60R650CEAUMA1 Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

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Die CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs von Infineon sind eine nach dem Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelte Technologieplattform aus Hochspannungs-MOSFETs. Das Portfolio umfasst CoolMOS™ CEs mit 500 V, 600 V, 650 V, 700 V, und 800 V, die für den Einsatz in Ladegeräten mit geringem Stromverbrauch für Mobilgeräte, Elektrowerkzeuge, Adapter für Notebooks und Laptops, LCD- und LED-Fernseher und LED-Leuchten gedacht sind. Diese neue Baureihe von CoolMOS™ ist kostenoptimiert, um die typischen Anforderungen in Anwendungen für Endverbraucher ohne Kompromisse bei der bewährten CoolMOS ™ Qualität und Zuverlässigkeit zu erfüllen, und gleichzeitig immer noch preislich attraktiv zu bleiben.
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