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IMBG75R033M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG75R033M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG75R033M2HXTM
Price: 8.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBG75R033M2HXTM

Herst.- Nr.:

IMBG75R033M2HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IMBG75R033M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 5.60	CHF 560.00
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 4.66	CHF 4'660.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	41.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	37 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	189 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	6 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	CoolSiC G2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	IMBG75R033M2H SP006098936

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Datenblatt

IMBG75R033M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die CoolSiC™ 750 V G2 Siliciumcarbid-MOSFETs von Infineon Technologies sind so konzipiert, dass sie einen hohen Wirkungsgrad, Robustheit gegen parasitäres Einschalten für unipolare Gate-Ansteuerung und Zuverlässigkeit bieten. Diese MOSFETs bieten ein überlegenes Betriebsverhalten in Totem-Pole-, ANPC-, Vienna-Gleichrichter- und FCC-Hartschalt-Topologien. Die Reduzierung der Ausgangskapazität (Coss) ermöglicht es den MOSFETs, in den Cycloconverter-, CLLC-, DAB- und LLC-Soft-Switching-Topologien bei höheren Schaltfrequenzen zu arbeiten. Die CoolSiC™ 750 V G2 MOSFETs zeichnen sich durch einen maximalen Drain-Source-Einschaltwiderstand von bis zu 78 mΩ sowie durch geringe Schaltverluste dank verbesserter Gate-Steuerung aus. Diese MOSFETs sind sowohl fahrzeug- als auch industrietauglich. Typische Applikationen umfassen Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Telekommunikation, Leistungsschalter, Halbleiterrelais, Solar-Wechselrichter und HV-LV DC/DC-Wandler.