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FS50R12N2T7B15BPSA2

Name: Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS50R12N2T7B15B2
Price: 49.78 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

726-FS50R12N2T7B15B2

Herst.- Nr.:

FS50R12N2T7B15BPSA2

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 1200 V, 50 A sixpack IGBT module

Datenblatt:

FS50R12N2T7B15BPSA2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 44.75	CHF 447.50
	CHF 42.62	CHF 4'475.10

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	6-Pack
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Verpackung ab Werk:	15
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	FS50R12N2T7_B15 SP005612508

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200-V-Sixpack-IGBT-Module

Die Infineon 1200-V-Sixpack-IGBT-Module sind EasyPACK™ 1B-Sixpack-IGBT-Module mit TRENCHSTOP™ IGBT7 Emitter-gesteuerter 7-Dioden- und NTC-Technologie. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige maximale Betriebstemperatur bis zu 175°C in den 1200-V-Sixpack-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.