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BFP 740F H6327

Name: Infineon BFP 740F H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFP740FH6327
Price: 0.88 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BFP740FH6327

Herst.- Nr.:

BFP 740F H6327

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTOR

Datenblatt:

BFP 740F H6327 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.883	CHF 0.88
	CHF 0.55	CHF 5.50
	CHF 0.358	CHF 35.80
	CHF 0.276	CHF 138.00
	CHF 0.25	CHF 250.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.226	CHF 678.00
	CHF 0.202	CHF 1'212.00
	CHF 0.20	CHF 1'800.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

BFP740FH6327XTSA1

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.45

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Bipolartransistoren
RoHS:
Serie:	BFP740
Transistorart:	Bipolar
Technologie:	SiGe
Betriebsfrequenz:	42 GHz
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	4 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	1.2 V
Kollektorgleichstrom:	30 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSFP-4
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Pd - Verlustleistung:	160 mW
Produkt-Typ:	RF Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	SP000750416 BFP74FH6327XT BFP740FH6327XTSA1
Gewicht pro Stück:	1.870 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

HF Transistoren von INFINEON

HF Transistoren von Infineon umfassen rauscharme Verstärker und hochlineare Transistoren. Rauscharme Geräte beruhen auf der Silizium-Bipolar-Technologie. Eine moderate Übergangsfrequenz fT <20 GHz gewährleistet Benutzerfreundlichkeit und Stabilität. Die Durchlassspannung sichert die Versorgungsspannung von 5V. Diese Transistoren eignen sich für die Verwendung mit AM VHF / UHF bis zu 14 GHz.

Hochlineare Transistoren bieten OIP3 (Output Intercept Point 3) über 29 dBm. Sie basieren auf der High-Volume Silizium-Bipolar-Technologie und SiGe:C-Technologien von Infineon und gehören zu den Besten der Besten, was die Rauschzahlen betrifft. Die Komponenten eignen sich ideal für Treiber, Vorverstärker und Pufferverstärker.

BFPx4 RF Transistors

Infineon BFPx4 RF Transistors provide the designer the best possible performance, superior flexibility and price/performance ratio. These are widely used for new emerging wireless applications, where the system specification is not yet firmly established. The BFxx Low Noise Amplifiers (LNAs) include devices suitable for use from AM over VHF/UHF up to 14GHz. These are the latest LNA innovations based on Infineon's reliable high volume 80GHz fT silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. They combine uncompromised RF performance with outstanding robustness against high RF input power overdrive and ESD.

HF-Lösungen

Die Infineon HF-Lösungen bieten HF-Produkte für zahlreiche Applikationen mit hochleistungsfähigen, kostengünstigen Bauteilen. HF-Lösungen umfassen Transistoren, rauscharme Verstärker, GPS/GLONASS/COMPASS LNA, Schalter, Module und Tuner.
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