Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXFY26N30X3

Name: IXYS IXFY26N30X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFY26N30X3
Price: 4.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFY26N30X3

Herst.- Nr.:

IXFY26N30X3

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs TO252 300V 26A N-CH X3CLASS

Datenblatt:

IXFY26N30X3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXFY26N30X3

Auf Lager: 1’881

Lagerbestand:: 1’881 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 27 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 4.48	CHF 4.48
	CHF 2.25	CHF 22.50
	CHF 2.05	CHF 143.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	300 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	66 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	170 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	14 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	HiPerFET
Verpackung ab Werk:	70
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXFY26N30X3 Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Wärmepumpen

Littelfuse bietet ein großes Portfolio an Bauelementen für Wärmepumpen, einschließlich Sicherungen, TVS-Dioden, Gate-Treiber und mehr. Der Markt für Wärmepumpen wächst schnell, angetrieben von Regierungsinitiativen zur Reduzierung von Treibhausgasemissionen und steigenden Energiekosten. Da Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern, können Wärmepumpen nun unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden. Erfahren Sie, wie die Technologien von Littelfuse Wärmepumpen sicherer, zuverlässiger und energieeffizienter machen. Wärmepumpen können unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden, da die Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern. Diese Bauelemente eignen sich für verschiedene Applikationen, beispielsweise Energiemanagement, Sicherheitssysteme, HLK-Systeme, Rauchmelder und IoT-gesteuerte Haushaltsgeräte. Littelfuse bietet Schutz-, Steuerungs- und Sensortechnologien zur Verbesserung der Sicherheit, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Gebäuden.

HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse

Die IXYS HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse sind verbesserte Avalanche-bewertete schnelle intrinsische Dioden. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Leistungsdichte und geringe Gehäuseinduktivität mit geringem RDS_(ON) und geringem Q_G. Die MOSFETs der X-Klasse sind in internationalen Standardgehäusen erhältlich. Typische Applikationen sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, Robotik- und Servosteuerungen und ähnliche Applikationen.
Mehr erfahren

Solar-Wechselrichter und Batterie-Energiesspeichersysteme

Littelfuse Solar-Wechselrichter und Batterie-Energiespeichersysteme (BESS) können sowohl in AC- als auch DC-gekoppelten Solarsystemen betrieben werden. Das AC-gekoppelte Solarsystem verfügt über zwei Wechselrichter, die eine höhere Flexibilität und eine einfachere Installation bieten. DC-gekoppelte Solarsysteme verfügen über einen einzelnen Wechselrichter und bieten einen höheren Wirkungsgrad, da die kürzeren Kabel zwischen BESS und PV die Verluste reduzieren. Die Solarwechselrichter und BESS-Komponenten von Littelfuse umfassen TVS-Dioden, MOSFETs, IGBT-Treiber, Sicherungen, Relais und vieles mehr.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™ sind Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreichungsmodus. Diese MOSFETs verfügen über eine geringe R_DS(ON), eine niedrige Gate-Ladung (Q_G) und eine hohe Leistungsdichte. Die 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPERFET™ der X3-Klasse von IXYS entfernen während des Hochgeschwindigkeitsschaltens Restenergien zur Vermeidung von Bauteilausfällen.Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Netzteile, Robotik, Servosteuerungen und Ladegeräte für Elektro-Leichtfahrzeuge.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.