Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IXFK120N65X2

Name: IXYS IXFK120N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK120N65X2
Price: 20.6 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFK120N65X2

Herst.- Nr.:

IXFK120N65X2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

Datenblatt:

IXFK120N65X2 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu IXYS IXFK120N65X2

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 27 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 20.60	CHF 20.60
	CHF 16.32	CHF 163.20
	CHF 15.08	CHF 1'508.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-264-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	225 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.25 kW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	46 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	650V Ultra Junction X2
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	86 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	64 ns
Gewicht pro Stück:	10 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IXFK120N65X2 Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Intelligente Steckdosenlösungen

Die Bauelemente für die intelligenten Steckdosenlösungen von Littelfuse umfassen intelligente Steckdosen und Lichtdimmer, die über Apps oder virtuell gesteuert werden. Die Produktlinie der intelligenten Steckdosenapplikationen von Littelfuse umfasst PICO®II 473 Slo-Blo ® -Sicherungen, UltraMOV 14-mm-Varistoren, SJ SCR Schaltthyristoren, Thyristor-TRIACs, IX4340 Gate-Treiber und 650-V-X2-MOSFETs. Die intelligenten Steckdosenstecker lassen sich direkt in herkömmliche Steckdosen stecken oder dienen als deren Ersatz und ermöglichen die Steuerung der angeschlossenen Komponenten über eine App oder virtuell. Darüber hinaus können die Smart-Lichtdimmer ferngesteuert werden. Anstatt Energie von der Glühbirne in einen Widerstand umzuleiten, wird die moderne Glühbirnen-Schaltung mehrmals pro Sekunde rund um die Schwankung des Haushalt-Wechselstroms für eine bessere Energieeffizienz ausgeschaltet.

Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™

Die Leistungs-MOSFETs der X2-Klasse mit HiPerFET™ von IXYS sind für hocheffiziente und schnelle Leistungsschaltapplikationen konzipiert. Die Ultra-Junction-MOSFETs der X2-Klasse bieten eine geringe Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode. Diese MOSFETs sind in vielen Standard-Industriegehäusen, einschließlich isolierter Typen, erhältlich. Typische Anwendungsfälle sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, DC/DC-Wandler, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik und Servosteuerungen.

Ultra-Junction-MOSFETs

Die Ultra-Junction-MOSFETs von IXYS verfügen über einen niedrigen R_DS(on) und eine niedrige Q_g in Industriestandard-Gehäusen mit niedriger Induktivität. Diese Bauteile ermöglichen eine hohe Leistungsdichte, eine einfache Montage und Platzeinsparungen. Die Ultra-Junction-MOSFETs sind ideale Lösungen in SNT, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantriebe sowie Robotik-/Servo-Steuerungen.

Wärmepumpen

Littelfuse bietet ein großes Portfolio an Bauelementen für Wärmepumpen, einschließlich Sicherungen, TVS-Dioden, Gate-Treiber und mehr. Der Markt für Wärmepumpen wächst schnell, angetrieben von Regierungsinitiativen zur Reduzierung von Treibhausgasemissionen und steigenden Energiekosten. Da Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern, können Wärmepumpen nun unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden. Erfahren Sie, wie die Technologien von Littelfuse Wärmepumpen sicherer, zuverlässiger und energieeffizienter machen. Wärmepumpen können unter vielen Klimabedingungen eingesetzt werden, da die Umrichtermotoren die Systemeffizienz verbessern. Diese Bauelemente eignen sich für verschiedene Applikationen, beispielsweise Energiemanagement, Sicherheitssysteme, HLK-Systeme, Rauchmelder und IoT-gesteuerte Haushaltsgeräte. Littelfuse bietet Schutz-, Steuerungs- und Sensortechnologien zur Verbesserung der Sicherheit, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Gebäuden.

Ladelösungen für Elektrofahrzeuge

Die EV-(Elektrofahrzeug)-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind. Off-Board-EV-Ladestationen arbeiten in rauen Umgebungen, die extremer Hitze, Kälte, Regen, Schnee und Blitzschlägen ausgesetzt sind. Produkte von Littelfuse schützen gegen diese Gefahren und reduzieren das Risiko von Fehlern.

HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse

Die IXYS HiperFET™ Ultra-Junction-850V-MOSFETs der X-Klasse sind verbesserte Avalanche-bewertete schnelle intrinsische Dioden. Diese MOSFETs verfügen über eine hohe Leistungsdichte und geringe Gehäuseinduktivität mit geringem RDS_(ON) und geringem Q_G. Die MOSFETs der X-Klasse sind in internationalen Standardgehäusen erhältlich. Typische Applikationen sind Schaltnetzteile und Resonanznetzteile, Robotik- und Servosteuerungen und ähnliche Applikationen.
Mehr erfahren

Off-Board-Ladegerät – Untereinheit-Leistungswandler

Littelfuse Off-Board-Ladegerät – Untereinheit-Leistungswandler sind für DC-Ladestationen erforderlich, die bis zu einem SOC von 80 % in weniger als 30 Minuten laden. Diese Schnellladeapplikationen erfordern modulare Leistungswandler, die parallelgeschaltet werden können, um verschiedenen Leistungsstufen gerecht zu werden, wodurch ein schnelles Laden ermöglicht wird. Die wichtigsten Parameter sind die Energiedichte und der Systemwirkungsgrad. Ein Untereinheit-Leistungswandler in einer DC-Ladestation besteht aus einer AC/DC-Leistungsstufe und einer DC/DC-Leistungsstufe, die in der Ladestation integriert sind.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

Lösungen für Off-Highway-Elektrofahrzeuge

Littelfuse bietet eine große Auswahl von Lösungen für Off-Highway-Elektrofahrzeuge. Diese Elektrofahrzeuge verfügen über eine ähnliche Architektur und einen Leistungsbereich von 48 V bis 400 V. Zu den Off-Highway-Elektrofahrzeugen gehören elektrische Gabelstapler, Golfwagen, Dreiräder, Schleppzugmaschinen, Walzen und Bagger.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.