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IXFH26N50P

Name: IXYS IXFH26N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH26N50P
Price: 7.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH26N50P

Herst.- Nr.:

IXFH26N50P

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500

Datenblatt:

IXFH26N50P Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	230 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	400 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	KR
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	26 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	HiPerFET
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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IXFH26N50P Datenblatt

PCN

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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