GS816218DB-200M

GSI Technology
464-GS816218DB-200M
GS816218DB-200M

Herst.:

Beschreibung:
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

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GSI Technology
Produktkategorie: SRAM
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18 Mbit
1 M x 18
6.5 ns
200 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
240 mA, 245 mA
- 55 C
+ 125 C
SMD/SMT
BGA-119
Tray
Marke: GSI Technology
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Speichertyp: SDR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SRAM
Serie: GS816218DB
Verpackung ab Werk: 21
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: SyncBurst
Typ: Pipeline/Flow Through
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A001.a.2.c

SyncBurst SRAMs

Die SyncBurst SRAMs von GSI Technology gehören zu einem umfassenden Portfolio synchroner Burst-SRAMs (SyncBurst™) mit hoher Taktrate und geringer Leistungsaufnahme. SyncBurst SRAMs liefern einen „Burst“ von (typischerweise) 2 bis 4 Wörtern pro Taktsignal. Die vereinfachte Schnittstelle des Gerätes ist für die Nutzung der maximalen Bandbreite des Datenbus designt. SyncBurst SRAMs werden in Militär-, Netzwerk-, Industrie-, Automobil- und medizinischen Bildgebungsapplikationen verwendet, die eine mittlere Leistung voraussetzen.
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