ASA030V120B5

APC-E
896-ASA030V120B5
ASA030V120B5

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 1200V 30A, TO247-2L, Industrial Grade

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APC-E
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
30 A
1.2 kV
310 A
+ 175 C
Tube
Marke: APC-E
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

APC-E Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes are high-performance semiconductors for power applications. The APC-E SiC Schottky Barrier Diodes offer superior power handling due to high voltage and current ratings, enabling high frequency and high-temperature operation, which boosts power density, efficiency, and system compactness. These diodes feature a reduced capacitive charge (QC), which minimizes reverse recovery loss, aiding fast switching. These devices also maintain consistent performance over a broad temperature range, simplifying system design. Merits include low VF, high surge current, or balanced performance, tailored for PFC, solar inverters, onboard chargers, and EV charging.